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PSMN020-100YS,115  与  BSC252N10NSF G  区别

型号 PSMN020-100YS,115 BSC252N10NSF G
唯样编号 A36-PSMN020-100YS,115 A-BSC252N10NSF G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 19.5mΩ
上升时间 - 21ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 106W 78W
Qg-栅极电荷 - 17nC
输出电容 167pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 18S
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 43A 40A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS2
输入电容 2210pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 20.5mΩ@10V -
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN020-100YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN020-100YS_SOT669 N-Channel 106W 175℃ 3V 100V 43A

暂无价格 0 当前型号
BSC252N10NSF G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC252N10NSFGATMA1_100V 40A 19.5mΩ 20V 78W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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